寄付 2024年9月15日 – 2024年10月1日 募金について

キーワード検索

  • Main
  • キーワード検索
1
Введение в фотолитографию.

Введение в фотолитографию.

Лаврищев В.П. (ред)
фоторезиста
рис
элементов
мкм
фоторезистов
фотошаблонов
изображения
травления
поверхности
пленки
фотолитографии
подложки
фотошаблона
размеров
процесса
проявления
схем
изготовления
экспонирования
пленок
совмещения
слоя
метод
схема
материалов
скорость
фотошаблон
материала
фоторезист
процессов
системы
области
полимеров
процесс
наиболее
кремния
способность
энергии
микросхем
зависимости
маски
покрытия
происходит
воспроизведения
дефектов
получения
типа
участков
применение
основе
年:
1977
言語:
russian
ファイル:
DJVU, 4.04 MB
0 / 0
russian, 1977
2
Фотолитографические методы в технологии полупроводниковых приборов и интегральных микросхем

Фотолитографические методы в технологии полупроводниковых приборов и интегральных микросхем

Пресс Ф.П.
мкм
резиста
фотолитографии
слоя
фоторезиста
травления
кислоты
кремния
дефектов
подложки
проявления
рис
скорость
фотошаблонов
основе
поверхности
экспонирования
слой
изображения
качество
фоторезистов
резистов
составляет
размеров
совмещения
пластин
пленки
работе
фоторезист
резист
плотность
способность
позволяет
применяют
позитивных
помощью
фоторезисты
зависит
качества
толщины
метод
передачи
температуры
толщиной
точность
вып
изготовления
наиболее
сушки
травление
年:
1978
言語:
russian
ファイル:
DJVU, 1.24 MB
0 / 0
russian, 1978
3
Фотолитография

Фотолитография

Батурин И.С.
фотолитография
тема
резиста
методы
изображения
переноса
экспонирование
поверхности
фотолитографии
литография
резисты
микро
нанесение
нанолитографии
чистоты
резистов
травления
травление
технологии
помощью
литографии
введение
нанесения
билет
методов
слоя
пленок
проявка
рисунка
скорость
загрязнений
разрешение
пластины
экспонирования
резист
частиц
подготовка
фотошаблоны
проявки
термообработка
чистых
материалов
пленки
помещений
обработка
основных
процесс
пластин
тонких
очистки
言語:
russian
ファイル:
RAR, 25.21 MB
0 / 0
russian
4
Планарная технология кремниевых приборов

Планарная технология кремниевых приборов

Мазель Е.
кремния
диффузии
рис
слоя
поверхности
мкм
слоев
слой
примесей
окисла
приборов
технологии
подложки
скорость
травления
по­
типа
дефектов
примеси
ния
структур
процесса
метод
пластин
работе
скорости
роста
фотолитографии
планарных
пластины
слои
диффузия
помощью
обработки
поверхность
процесс
кремнии
окисления
создания
зависимость
кремний
silicon
области
слое
концентрации
наиболее
резиста
при­
реакции
планарной
言語:
russian
ファイル:
PDF, 14.57 MB
0 / 0
russian
5
Технология полупроводниковых приборов и изделий микроэлектроники [Учеб. пособие для ПТУ, В 10 кн.] Кн. 8 Литографические процессы

Технология полупроводниковых приборов и изделий микроэлектроники [Учеб. пособие для ПТУ, В 10 кн.] Кн. 8 Литографические процессы

В.В. Мартынов, Т.Е. Базарова
фоторезиста
слоя
изображения
элементов
рис
подложки
фотолитографии
мкм
слой
травления
размеров
проявления
фотошаблонов
подложек
совмещения
излучения
рисунка
экспонирования
фотошаблона
поверхности
имс
фоторезистов
элемента
изготовления
полупроводниковых
подложке
фотошаблон
точность
способность
слое
электронов
пучка
актиничного
контроля
подложка
литографии
контроль
помощью
используют
проекционной
процесс
системы
слоев
процесса
пфш
экспонировании
качестве
установки
электронно
являются
年:
1990
言語:
russian
ファイル:
DJVU, 1.62 MB
0 / 0
russian, 1990
6
Технология и конструкции микрошем, микропроцессов и микросборок

Технология и конструкции микрошем, микропроцессов и микросборок

Коледов Л.А.
рис
микросхем
кремния
мдп
мкм
типа
транзистора
элементов
транзисторов
микросхемы
слоя
слой
технологии
поверхности
области
бис
окисла
пленки
формирования
подложки
диффузии
производства
пленок
изготовления
область
примеси
конструкции
структуры
транзистор
основе
полупроводниковых
позволяет
операций
создания
выводов
транзисторы
областей
пластины
качестве
операции
разводки
канала
пластин
технология
технологических
травления
напряжения
сопротивление
структура
процесс
年:
2007
言語:
russian
ファイル:
DJVU, 4.51 MB
0 / 0
russian, 2007
7
Технология и конструкции микросхем, микропроцессоров и микросборок

Технология и конструкции микросхем, микропроцессоров и микросборок

Коледов Л.А.
рис
микросхем
кремния
мдп
мкм
типа
транзистора
элементов
транзисторов
микросхемы
слоя
слой
технологии
поверхности
пленки
области
бис
формирования
окисла
подложки
диффузии
производства
пленок
изготовления
область
примеси
конструкции
структуры
основе
транзистор
позволяет
полупроводниковых
выводов
операций
создания
областей
транзисторы
разводки
технология
качестве
операции
пластины
канала
пластин
травления
напряжения
технологических
структура
сопротивление
процесс
年:
1989
言語:
russian
ファイル:
DJVU, 5.91 MB
0 / 0
russian, 1989
8
Технология и конструкции микросхем, микропроцессоров и микросборок. Учебник для вузов

Технология и конструкции микросхем, микропроцессоров и микросборок. Учебник для вузов

Коледов Леонид Александрович
рис
микросхем
кремния
мдп
типа
мкм
транзистора
элементов
транзисторов
микросхемы
слоя
слой
технологии
поверхности
области
пленки
бис
формирования
окисла
подложки
диффузии
производства
пленок
изготовления
примеси
область
конструкции
структуры
транзистор
основе
позволяет
операций
полупроводниковых
создания
транзисторы
выводов
областей
разводки
качестве
операции
пластины
технология
канала
травления
напряжения
пластин
технологических
структура
процесс
процесса
年:
1989
言語:
russian
ファイル:
DJVU, 5.69 MB
0 / 0
russian, 1989
9
Тонкопленочные микросхемы для приборостроения и вычислительной техники

Тонкопленочные микросхемы для приборостроения и вычислительной техники

Гимпельсон, Радионов.
пленки
рис
пленок
подложки
резисторов
схем
сопротивления
мкм
слоя
микросхем
материала
материалов
напыления
тонкопленочных
метод
изготовления
поверхности
микросхемы
интегральных
процесса
схемы
технологии
резистора
электронная
сварки
помощью
сопротивление
фоторезиста
получения
методом
бис
слой
бгис
кристалла
элементов
рисунка
техника
выводов
вып
подложек
качестве
определяется
подложке
компонентов
распыления
слоев
технология
параметров
счет
фотолитографии
年:
1976
言語:
russian
ファイル:
DJVU, 4.43 MB
0 / 0
russian, 1976
10
Фотолитографические технологии в производстве оптических деталей : учебное пособие

Фотолитографические технологии в производстве оптических деталей : учебное пособие

Дерябин, В. А.
фоторезиста
топологии
подложки
фотолитографии
покрытия
оптических
элементов
поверхности
деталей
экспонирования
шкал
мкм
подложку
обратной
изготовления
пленки
проявления
способ
фотошаблонов
помощью
фотошаблона
фотошаблон
штрихов
чистоты
покрытие
установить
деталь
производится
способом
результате
толщина
подложек
покрытий
стекла
хрома
излучения
операции
фоторезист
ширины
шкалы
изготовлении
наиболее
операция
поверхность
процесса
составляет
способы
технологии
центрифуги
иметь
年:
2014
言語:
russian
ファイル:
PDF, 993 KB
0 / 0
russian, 2014
11
Электронное учебно-методическое пособие по учебной дисциплине "Технология и оборудование литографических процессов" для специальности 2-41 01 31 "Микроэлектроника"

Электронное учебно-методическое пособие по учебной дисциплине "Технология и оборудование литографических процессов" для специальности 2-41 01 31 "Микроэлектроника"

Лаврова, Л. К.
фоторезиста
рисунок
изображения
поверхности
элементов
фотолитографии
подложки
слоя
травления
рисунка
фотошаблонов
совмещения
мкм
литографии
фотошаблона
проявления
экспонирования
методы
пленки
качество
слой
размеров
схема
травление
тема
процессов
резиста
процесс
фотошаблон
элемента
метод
помощью
процесса
сформировать
установки
поверхность
подложке
дефектов
контроля
волны
используют
позволяет
способность
кремния
пластины
толщины
изготовления
контроль
излучения
качества
言語:
russian
ファイル:
PDF, 2.39 MB
0 / 0
russian
12
Технология полупроводниковых приборов и изделий микроэлектроники. Общая технология

Технология полупроводниковых приборов и изделий микроэлектроники. Общая технология

И.Я. Козырь, Ю.И. Горбунов
имс
рис
кремния
слой
изготовления
полупроводниковых
слоя
типа
подложек
диоксида
элементов
поверхности
подложки
мкм
технологии
приборов
атомов
технология
транзисторов
области
технологических
моп
операций
изделий
формирования
диффузии
проводят
формируют
материалов
слоев
изготовлении
используют
пластин
применяют
фоторезиста
фотолитографии
структуры
процесса
слои
создания
пленки
процесс
подложка
наиболее
плат
создают
структур
выполняют
материала
алюминия
年:
1989
言語:
russian
ファイル:
DJVU, 2.97 MB
0 / 0
russian, 1989
13
Процессы микро- и нанотехнологий: Лабораторный практикум. Часть 2

Процессы микро- и нанотехнологий: Лабораторный практикум. Часть 2

Шутов Д.А., Ситанов Д.В.
фоторезиста
поверхности
подложки
слоя
пластин
sio2
мкм
типа
кремния
пленки
травления
подложек
пластины
элементов
мдп
процесса
операции
областей
фотолитография
пленок
структуры
полупроводниковых
диффузии
изготовления
подложке
скорость
транзисторов
микросхем
бис
кмдп
процесс
установки
фотолитографии
удаление
технологии
формирования
имс
обработки
примеси
рис
слоев
окон
операций
толщина
окисла
получения
раствор
слой
выполнения
каро
年:
2006
言語:
russian
ファイル:
PDF, 3.65 MB
0 / 0
russian, 2006
14
Процессы Микро и Нанотехнологии

Процессы Микро и Нанотехнологии

Данилина Т.И., Смирнова К.И. и др.
рис
примеси
кремния
диффузии
пленки
подложки
имс
поверхности
пленок
слоя
мкм
ионов
испарения
области
слой
элементов
распыления
атомов
энергии
определяется
типа
изготовления
коэффициент
получения
материала
температуре
газа
скорость
вещества
концентрации
sio2
зависит
рисунка
технологии
пластины
помощью
процесс
слоев
мишени
галлия
концентрация
т.е
температуры
подложек
окисления
подложке
алюминия
иона
скорости
происходит
言語:
russian
ファイル:
PDF, 22.56 MB
0 / 0
russian
15
Технология производства полупроводниковых приборов

Технология производства полупроводниковых приборов

Гаврилов Р.А., Скворцов А.М.
кремния
диффузии
германия
рис
поверхности
полупроводниковых
слоя
типа
примеси
пластинки
интегральных
транзисторов
схем
процесс
травления
скорость
вплавления
атомов
области
пленки
получения
температуры
фоторезиста
мкм
моп
приборов
элементов
германий
окисления
используют
кремний
полупроводника
изготовления
скорости
качестве
процесса
концентрации
окисла
слой
температуре
пластины
порядка
поверхность
пластин
происходит
транзистора
плоскости
сурьмы
диффузия
помощью
年:
1968
言語:
russian
ファイル:
DJVU, 4.48 MB
0 / 0
russian, 1968
16
Интегральные устройства радиоэлектроники. Технология микросхем и микропроцессоров

Интегральные устройства радиоэлектроники. Технология микросхем и микропроцессоров

сост. О. В. Семенова.
гост
слоя
фоторезиста
подложки
рис
имс
насоса
элементов
газа
микросхем
вакуума
пленки
подложку
травления
мкм
материала
напыления
процесса
подложек
фотолитографии
давления
ост
рабочей
установки
установка
изготовления
пленок
испаритель
молекул
сварки
жидкости
контакта
насос
подложке
получения
схема
давление
маски
наименование
установить
поверхности
тонких
процесс
фоторезистивного
интегральных
материалы
травление
слой
толщины
эксплуатации
言語:
russian
ファイル:
PDF, 1.95 MB
0 / 0
russian
17
Современная фотолитография

Современная фотолитография

Зеленцов С.В., Зеленцова Н.В.
фоторезиста
слоя
маски
ch3
фотолитографии
фоторезистов
процесса
слой
качестве
масок
резистной
фоторезисты
мкм
ch2
изображения
травления
заявл
опубл
полимера
экспонирования
нхд
подложки
счет
resist
наиболее
основе
proc
материала
слое
плазме
резистных
элементов
высокой
процесс
полимеризации
получения
технологии
spie
приводит
настоящее
пленки
формирования
фоторезист
заявка
резиста
фоторезистных
химическим
c.g
кремния
образованием
言語:
russian
ファイル:
PDF, 474 KB
0 / 0
russian
18
Голограммные оптические элементы и устройства

Голограммные оптические элементы и устройства

Корешев С.Н.
голограммы
лучей
голограмм
рис
помощью
волны
поверхности
аберраций
оптических
линзы
пучка
гоэ
изображения
излучения
зеркала
плоскости
голограммных
пучок
среды
т.е
регистрирующей
аберрации
дифракции
системы
элементов
ϕ
оптической
структуры
объекта
записи
систем
2π
поверхностей
голограммной
формы
exp
регистрации
пучков
восстановления
использования
контроля
позволяет
голографической
поля
выражения
изображение
интерференционной
стекла
источника
качестве
年:
2013
言語:
russian
ファイル:
PDF, 3.60 MB
0 / 0
russian, 2013
19
Оптическое материаловедение. Материалы и технологии оптических элементов

Оптическое материаловедение. Материалы и технологии оптических элементов

Глущенко А. Г., Глущенко Е. П., Гончарова Г. Н., Жуков С. В., Поволж. гос. ун-т телекоммуникаций и информатики
aгентство
cервис
kнига
бибком
оао
ооо
цкб
рис
кристалла
электронов
типа
области
атомов
проводимости
материалов
поверхности
центры
электроны
фоторезиста
заряда
окраски
соединений
структуры
запрещенной
происходит
полупроводников
слой
подложки
роста
электрона
энергии
кристаллов
наиболее
слоя
квантовых
результате
электрон
материала
элементов
поглощения
волны
кристаллах
приводит
являются
состояний
фотолитографии
энергия
gaas
излучения
качестве
言語:
russian
ファイル:
PDF, 2.97 MB
0 / 0
russian
20
Интегральные устройства радиоэлектроники

Интегральные устройства радиоэлектроники

Коллектив авторов
гост
слоя
подложки
фоторезиста
рис
имс
элементов
насоса
микросхем
газа
подложку
вакуума
мкм
пленки
напыления
ост
материала
подложек
процесса
установка
пленок
давления
испаритель
молекул
рабочей
травления
фотолитографии
изготовления
маски
контакта
наименование
установить
установки
подложке
получения
сварки
тонких
жидкости
процесс
схема
интегральных
насос
слой
травление
материалы
фоторезистивного
эксплуатации
вакуум
колпак
поверхности
言語:
russian
ファイル:
PDF, 1.53 MB
0 / 0
russian
21
Физико-химические основы технологии электронных средств: Учебное пособие

Физико-химические основы технологии электронных средств: Учебное пособие

Смирнов В.И.
поверхности
кремния
подложки
атомов
слоя
ионов
рис
слой
диффузии
sio2
пластины
результате
скорость
мишени
молекул
подложке
вещества
пленки
распыления
процесс
травления
процесса
помощью
примесных
фоторезиста
технологии
элементов
газа
позволяет
микросхем
происходит
реакции
энергии
примеси
поверхность
температуры
полупроводниковых
метода
электронов
используют
метод
слое
слоев
ионы
состояния
системы
атомы
далее
концентрация
ионно
年:
2005
言語:
russian
ファイル:
PDF, 1.06 MB
0 / 0
russian, 2005
22
Материалы и технологии интегральной оптики. Учебное пособие, курс лекций

Материалы и технологии интегральной оптики. Учебное пособие, курс лекций

Сидоров А.И., Никоноров Н.В.
рис
оптических
волновода
преломления
волноводов
оптические
подложки
материала
интегральной
оптики
интегрально
волны
стекла
показателя
устройств
используются
волновод
волноводы
оптического
технологии
устройства
изготовления
основе
методы
поверхности
происходит
материалов
методом
примеси
слоя
позволяет
диффузии
кремния
свойства
мкм
ионов
метод
материалы
поля
пленок
сигнала
излучения
показатель
слой
создания
волноводе
моды
пленки
помощью
используется
年:
2009
言語:
russian
ファイル:
PDF, 2.97 MB
0 / 0
russian, 2009
23
Материалы и технологии интегральной оптики: Учебное пособие

Материалы и технологии интегральной оптики: Учебное пособие

Сидоров А.И., Никоноров Н.В.
рис
оптических
волновода
преломления
волноводов
оптические
подложки
материала
интегральной
оптики
интегрально
волны
стекла
показателя
устройств
используются
волновод
волноводы
оптического
технологии
устройства
изготовления
основе
методы
поверхности
происходит
материалов
методом
примеси
слоя
позволяет
диффузии
кремния
свойства
мкм
ионов
метод
материалы
поля
пленок
сигнала
излучения
показатель
слой
создания
волноводе
моды
пленки
помощью
используется
年:
2009
言語:
russian
ファイル:
PDF, 2.75 MB
0 / 0
russian, 2009
24
Постростовые технологии создания функциональных микро- и наноструктур

Постростовые технологии создания функциональных микро- и наноструктур

Букатин А. С., Мухин М. С., Мухин И. С.
электронов
cvd
рис
литографии
пучка
реакции
осаждения
материала
образца
поверхности
сэм
излучения
помощью
фотолитографии
слой
резиста
осаждение
пленки
скорость
электронного
наноструктур
создания
вторичных
газов
области
происходит
процесса
материалов
первичных
подложки
роста
формирования
основе
разрешение
фоторезиста
энергии
являются
волны
изображение
кремния
слоя
используется
методов
мкм
область
транзисторов
электронной
реакция
схема
технологии
年:
2021
言語:
russian
ファイル:
PDF, 1.81 MB
0 / 0
russian, 2021
25
Сборник. Зарубежная электронная техника 2002-3-4

Сборник. Зарубежная электронная техника 2002-3-4

элт
пав
fabless
фирмы
мкм
выпуск
электронная
зарубежная
фильтры
техника
долл
фирм
млн
системы
фирма
изображения
волны
фильтров
использования
шаблонов
рис
систем
литографии
оптических
позволяет
psm
оборудования
осуществляется
фоторезиста
компонентов
качестве
маски
наиболее
создания
технологии
излучения
контроля
настоящее
области
усиления
конструкции
мгц
контроль
пучка
связи
сша
данных
фотолитографии
элементов
новых
年:
2002
言語:
russian
ファイル:
DJVU, 2.19 MB
0 / 0
russian, 2002
26
Фото-, электроно- и рентгенорезисты

Фото-, электроно- и рентгенорезисты

Боков Юрий Сергеевич
фоторезистов
пленок
излучения
сн2
полимеров
фоторезиста
энергии
проявления
пленки
рис
типа
позитивных
полимера
см2
основе
электронов
покрытия
связи
материалов
мкм
поглощения
применения
изображения
растворителей
экспонирования
электронорезистов
способность
полимеры
светочувствительности
элементов
фоторезисты
материала
сшивания
electron
молекулярной
зависит
макромолекул
отметить
энергия
светочувствительность
приводит
качестве
счет
электроно
негативных
фото
зависимости
поверхности
снг
области
年:
1982
言語:
russian
ファイル:
DJVU, 1.64 MB
0 / 0
russian, 1982
27
Фотолитографический метод создания тонкопленочных ВТСП структуры: лабораторный практикум.

Фотолитографический метод создания тонкопленочных ВТСП структуры: лабораторный практикум.

Сычев А. С.
фоторезиста
подложки
слоя
фотолитографии
процесса
травления
пленки
поверхности
печати
фотошаблона
изображения
мкм
способность
aгентство
cервис
kнига
бибком
оао
ооо
фоторезист
цкб
рельефа
разрешающая
рис
фоторезистивного
защитного
метод
втсп
дефектов
контактной
материала
подложке
фоторезистов
элементов
клина
пленке
фотошаблон
защитный
наличие
процесс
размеров
результате
слой
структур
участках
экспонирования
зависит
зазором
линий
микросхем
言語:
russian
ファイル:
PDF, 260 KB
0 / 0
russian
28
Фотолитографический метод создания тонкопленочных ВТСП структур: Лабораторный практикум

Фотолитографический метод создания тонкопленочных ВТСП структур: Лабораторный практикум

Сычев С.А., Серопян Г.М., Позыгун И.С., Семочкин В.В.
фоторезиста
подложки
слоя
фотолитографии
процесса
травления
пленки
поверхности
печати
фотошаблона
изображения
мкм
способность
фоторезист
рельефа
разрешающая
рис
фоторезистивного
защитного
метод
втсп
дефектов
контактной
материала
подложке
фоторезистов
элементов
клина
пленке
фотошаблон
защитный
наличие
процесс
размеров
результате
слой
структур
участках
экспонирования
зависит
зазором
линий
микросхем
нанесения
негативного
области
образца
подложку
покрытия
получения
年:
2004
言語:
russian
ファイル:
PDF, 267 KB
0 / 0
russian, 2004
29
Технология полупроводникового производства

Технология полупроводникового производства

Мокеев О К, Романов А С
рис
ответы
кремния
поверхности
неправильно
мкм
подложки
слоя
пленки
слой
типа
ния
корпуса
применяют
задание
пластин
микросхем
полупроводниковых
правильно
метод
пластины
используют
диффузии
примеси
приборов
скорость
поверхность
подложке
слоев
пленок
называют
фоторезиста
выполняют
температуры
фотошаблона
оксида
получения
получают
ионов
проводят
результате
слое
травления
изготовления
моп
фотошаблонов
осаждения
подложек
подложка
области
言語:
russian
ファイル:
DJVU, 5.50 MB
0 / 0
russian
30
Технология полупроводникового производства

Технология полупроводникового производства

Мокеев, Олег Константинович, Романов, Александр Сергеевич, авт
рис
ответы
кремния
поверхности
неправильно
мкм
подложки
слоя
пленки
слой
типа
ния
корпуса
применяют
задание
пластин
микросхем
полупроводниковых
правильно
метод
пластины
используют
диффузии
примеси
приборов
скорость
поверхность
подложке
слоев
пленок
называют
фоторезиста
выполняют
температуры
фотошаблона
оксида
получения
получают
ионов
проводят
результате
слое
травления
изготовления
моп
фотошаблонов
осаждения
подложек
подложка
области
年:
1984
言語:
russian
ファイル:
DJVU, 5.52 MB
0 / 0
russian, 1984
31
Твердотельная электроника, микроэлектроника и наноэлектроника Вып. 18

Твердотельная электроника, микроэлектроника и наноэлектроника Вып. 18

редакционная коллегия: С. И. Рембеза - ответственный редактор [и др.]
рис
текст
пленок
пленки
датчика
сопротивления
напряжения
азота
сопротивление
транзистора
основе
мкм
университет
воронежский
государственный
методом
оксида
пластины
sno2
сигнал
кристалла
качестве
технический
технологии
измерения
пластин
удк
работе
сигнала
литература
напряжение
олова
параметры
тока
концентрации
результаты
отжига
помощью
температуре
свойства
чувствительности
поверхности
температуры
параметров
позволяет
транзисторов
zno
в.и
газовой
исследование
年:
2019
言語:
russian
ファイル:
PDF, 6.73 MB
0 / 0
russian, 2019
32
Микроэлектроника: учебное пособие. Специальность 210100.62 – Электроника и наноэлектроника

Микроэлектроника: учебное пособие. Специальность 210100.62 – Электроника и наноэлектроника

Н. В. Жданова
элементов
подложки
фотолитография
гис
имс
пленки
слоя
мкм
операции
изготовления
рис
типа
микросхем
кремния
областей
микросхемы
мдп
пластин
полупроводниковых
формирования
поверхности
таблица
окон
операций
диффузии
используют
области
пленок
слоев
окисла
подложек
резисторов
слой
газообразный
резисторы
контроль
температуре
транзистора
пластины
легирования
толщины
структуры
фоторезиста
sio2
батист
вскрытия
изоляции
легирование
отбеленный
тонкопленочных
年:
2014
言語:
russian
ファイル:
PDF, 1.47 MB
0 / 4.0
russian, 2014
33
Производственные технологии. Лабораторный практикум : учебно-метод. пособие

Производственные технологии. Лабораторный практикум : учебно-метод. пособие

Телеш Е. В.
рис
диффузии
образца
проводников
поверхности
слоя
помощью
процесса
способность
материала
плат
твердости
печатных
фотолитографии
материалов
мкм
подложку
ºс
испытания
рисунка
измерения
основные
примеси
травления
напряжения
пленки
сопротивление
термической
течение
углерода
изображения
испытаний
контактной
металла
отверстий
твердость
вязкость
методы
нагрузки
обработки
образец
образцов
происходит
раствор
температуры
ºc
атомов
метод
свойства
слоев
言語:
russian
ファイル:
PDF, 2.55 MB
0 / 0
russian
34
Микроэлектроника

Микроэлектроника

Жданова Наталья Владимировна
aгентство
cервис
kнига
бибком
оао
ооо
цкб
элементов
подложки
фотолитография
гис
имс
пленки
слоя
мкм
операции
изготовления
рис
типа
микросхем
кремния
областей
микросхемы
мдп
пластин
полупроводниковых
формирования
поверхности
таблица
окон
операций
диффузии
используют
области
пленок
слоев
окисла
подложек
резисторов
слой
газообразный
резисторы
контроль
температуре
транзистора
пластины
легирования
толщины
структуры
фоторезиста
言語:
russian
ファイル:
PDF, 1.45 MB
0 / 0
russian
35
Технология литографических процессов

Технология литографических процессов

Лапшинов Б.А.
рис
подложки
слоя
травления
фоторезиста
поверхности
литографии
мкм
совмещения
экспонирования
излучения
резиста
элементов
волны
изображения
рисунка
слой
процесса
пластины
проявления
литография
системы
толщины
поверхность
способность
происходит
сушки
зависит
схема
экспонирование
высокой
маски
подложек
электронов
ионов
материала
подложка
разрешающей
скорость
травление
шаблона
процесс
качество
рельефа
установки
энергии
изготовления
используют
слое
технологии
言語:
russian
ファイル:
PDF, 3.73 MB
0 / 0
russian
36
Лабораторный практикум по дисциплинам «Технология изделий интегральной электроники», «Специальное технологическое оборудование» для студентов специальностей «Проектирование и производство РЭС», «Электронно-оптические системы и технологии». Ч. 3.

Лабораторный практикум по дисциплинам «Технология изделий интегральной электроники», «Специальное технологическое оборудование» для студентов специальностей «Проектирование и производство РЭС», «Электронно-оптические системы и технологии». Ч. 3.

Емельянов, В. А.
совмещения
пленки
установки
пластины
пресс
рис
пленок
системы
распыления
поверхности
мишени
корпуса
напыления
процесса
помощью
герметизации
мкм
подложки
относительно
пфо
распыление
знаков
изделий
камеры
управления
изображения
саи
система
фотошаблона
производится
экспонирования
скорость
установка
давление
материала
ориентации
приборов
совмещение
элементов
проекционной
происходит
фоторезиста
материалов
пластине
плоскости
положения
контроль
полупроводниковых
рабочей
формы
言語:
russian
ファイル:
PDF, 7.57 MB
0 / 0
russian
37
Микроэлектроника: Рабочая программа, задание на курсовую работу и методические указания к ее выполнению

Микроэлектроника: Рабочая программа, задание на курсовую работу и методические указания к ее выполнению

Васильев Ю.Г.
имс
пленочных
изготовления
элементов
конденсатора
резисторов
основные
конденсаторов
технологии
расчет
табл
контактных
площадок
пленки
проводников
формы
подложки
данные
топологии
микросборки
мкм
гибридных
полупроводниковых
технологические
формуле
мсб
тонкопленочных
бис
определяется
резистора
технологических
площади
погрешность
подложке
сопротивления
емкости
осуществляется
проектирования
резистивной
слоя
маски
материалов
расчета
технология
выбор
материала
материалы
методы
микроэлектроника
нанесения
年:
2004
言語:
russian
ファイル:
PDF, 862 KB
0 / 0
russian, 2004
38
Конструктивно-технологические основы микроэлектроники

Конструктивно-технологические основы микроэлектроники

Филяк М. М.
имс
рисунок
aгентство
cервис
kнига
бибком
оао
ооо
цкб
микросхем
элементов
поверхности
кремния
подложки
изготовления
диффузии
пленки
процесса
пластин
пленок
примеси
подложек
процесс
структур
слоя
слой
мкм
корпуса
элементы
помощью
технологии
микросхемы
операции
пластины
моп
основные
интегральных
получения
выводов
гис
фоторезиста
слоев
соединения
температуры
полупроводниковых
структуры
изготовление
технология
травления
кристаллов
言語:
russian
ファイル:
ZIP, 1.04 MB
0 / 0
russian
39
Нанотехнологии на основе полупроводниковых материалов

Нанотехнологии на основе полупроводниковых материалов

Власенко Н.В.
unknown
wmf
основе
рис
квантовых
поверхности
gaas
нанотехнологии
подложки
электронов
полупроводниковых
структур
метод
технологии
энергии
млэ
волны
слой
нанотехнологий
структуры
материалов
inas
приборов
связи
получения
системы
зонда
квантовые
области
помощью
изготовления
наноструктур
основные
плотность
подложке
процесс
стм
png
состояний
молекул
атомов
заряда
литографии
происходит
электрона
квантовой
соединений
эпитаксия
квантовая
настоящее
言語:
russian
ファイル:
DOC, 13.58 MB
0 / 0
russian
40
Конструктивно-технологические основы микроэлектроники

Конструктивно-технологические основы микроэлектроники

Филяк, М. М.
имс
рисунок
aгентство
cервис
kнига
бибком
оао
ооо
цкб
микросхем
элементов
поверхности
подложки
кремния
диффузии
пленки
процесса
изготовления
пленок
примеси
пластин
подложек
процесс
слоя
слой
мкм
структур
корпуса
элементы
помощью
технологии
операции
пластины
микросхемы
моп
основные
выводов
получения
фоторезиста
гис
интегральных
соединения
температуры
слоев
полупроводниковых
структуры
легирования
метод
метода
проводят
言語:
russian
ファイル:
PDF, 1.10 MB
0 / 0
russian
41
Технология полупроводников

Технология полупроводников

Богомазова, Наталья Валентиновна
травления
кремния
sio2
пленки
поверхности
рис
скорость
пленок
окисления
слоя
технологии
мкм
полупроводниковых
травление
получения
технология
слой
структуры
фоторезиста
интегральных
подложки
оксида
роста
схем
элементов
кристалла
метод
приборов
скорости
структур
типа
hno3
области
состав
дислокаций
дислокации
изучение
кмоп
наиболее
операций
слоев
качестве
методом
пластин
пластины
позволяет
процесс
процесса
смеси
травителя
言語:
russian
ファイル:
PDF, 1.50 MB
0 / 0
russian
42
Базовые технологические операции фотолитографии и оборудование для их реализации : учебно-методическое пособие

Базовые технологические операции фотолитографии и оборудование для их реализации : учебно-методическое пособие

Родионов, Ю. А.
рисунок
слоя
подложки
фоторезиста
изображения
волны
поверхности
процесса
травления
совмещения
преломления
слой
способность
системы
экспонирования
литографии
излучения
литография
объекта
результате
проявления
изображение
мкм
подложке
разность
лучей
поверхность
происходит
рисунка
хода
фотолитографии
подложек
сушки
схема
фаз
экспонирование
элементов
используют
линзы
подложка
топологии
травление
кремния
отражения
помощью
процесс
состоит
сушка
технологии
качестве
言語:
russian
ファイル:
PDF, 4.81 MB
0 / 0
russian
43
Аппаратные средства микро- и нанотехнологий [Электронный ресурс] : науч.-образоват. модуль в системе дистанц. обучения MOODLE

Аппаратные средства микро- и нанотехнологий [Электронный ресурс] : науч.-образоват. модуль в системе дистанц. обучения MOODLE

Волков А. В.
рис
поверхности
вакуумметра
системы
газа
поля
подложки
травления
частиц
электронов
плазмы
исо
торр
атомов
давление
чистых
давления
имс
вакуумметр
измерения
роста
помещений
помощью
систем
элементов
области
плазме
позволяет
поле
разряда
тока
вакуумметры
вакуумной
вакуумных
кремния
травление
мкм
слоя
вакуумного
волны
датчик
ионов
техники
типа
литографии
методы
мишени
слой
являются
высокой
年:
2018
言語:
russian
ファイル:
PDF, 1.51 MB
0 / 0
russian, 2018
44
Оптические методы формирования микроэлементов информационных систем

Оптические методы формирования микроэлементов информационных систем

Ворзобова, И. Ю. Денисюк
рис
мкм
структур
структуры
рисунке
волны
получения
литографии
решетки
излучения
фоторезиста
волн
использованием
элементов
схема
изображения
голограммы
определяется
метода
плоскости
технологии
слоя
длиной
exp
метод
микроструктур
пленки
позволяет
формирования
su8
поверхности
оптической
угол
когерентности
методом
области
подложки
поля
рельефа
являются
изображение
использовании
качестве
периодических
пучком
структура
установки
формирование
используется
методы
言語:
russian
ファイル:
PDF, 3.23 MB
0 / 0
russian
45
Оптические методы формирования микроэлементов информационных систем: Учебное пособие

Оптические методы формирования микроэлементов информационных систем: Учебное пособие

Ворзобова Н.Д., Денисюк И.Ю.
рис
мкм
структур
структуры
рисунке
волны
получения
литографии
решетки
излучения
фоторезиста
волн
элементов
использованием
схема
изображения
голограммы
определяется
формирования
метода
плоскости
технологии
оптической
слоя
длиной
области
exp
метод
микроструктур
пленки
позволяет
su8
методы
поверхности
систем
микроэлементов
угол
качестве
когерентности
методом
подложки
поля
рельефа
являются
изображение
использовании
периодических
пучком
структура
установки
年:
2008
言語:
russian
ファイル:
PDF, 4.00 MB
0 / 0
russian, 2008
46
Интегральные микросхемы

Интегральные микросхемы

Сухова В.Ф.
рис
элементов
имс
схемы
элементы
интегральных
микросхемы
микросхем
транзистора
элемента
схема
напряжение
интеграции
лог
резисторов
элемент
vt1
типа
vt2
транзистор
конденсаторов
кремния
питания
поверхности
изготовления
технологии
транзисторах
транзисторы
логические
логических
моп
основе
подложки
транзисторов
уровня
логического
напряжения
полупроводниковых
ток
пленочных
vt3
интегральные
параметры
резисторы
серии
ттл
полупроводниковой
резистора
изготовление
микроэлектроники
年:
2014
言語:
russian
ファイル:
PDF, 1.61 MB
0 / 0
russian, 2014
47
Компьюторное моделирование нанотехнологий, наноматериалов и наноструктур. Математическое моделирование фотолитографических процессов и процессов электронной литографии при создании субмикронных структур и структур с нанометровыми размерами. Курс лекций

Компьюторное моделирование нанотехнологий, наноматериалов и наноструктур. Математическое моделирование фотолитографических процессов и процессов электронной литографии при создании субмикронных структур и структур с нанометровыми размерами. Курс лекций

Юрчук С.Ю.
рис
фоторезиста
резиста
изображения
электронов
экспонирования
элементов
мкм
моделирование
энергии
близости
литографии
процесса
изображение
травления
exp
излучения
пучка
процессов
зависит
определяется
волны
поверхности
подложки
рисунка
способность
формирования
маски
резист
топологического
электронной
моделирования
параметров
фотолитографии
электронного
метода
пленки
процесс
проявления
системы
топологии
фотолитографических
электроны
луча
плотность
помощью
размеры
разрешение
распределение
формы
年:
2013
言語:
russian
ファイル:
PDF, 23.37 MB
0 / 0
russian, 2013
48
Проектирование фильтров на поверхностно-акустических волнах

Проектирование фильтров на поверхностно-акустических волнах

Чернышова, Т.И., Чернышов, Н.Г.
пав
электродов
фильтра
вшп
фильтров
звукопровода
акустических
преобразователей
изготовления
мкм
волнах
преобразователя
ачх
табл
топологии
взвешивания
рис
звукопроводов
элементов
волн
наиболее
поверхностно
преобразователь
этапе
аподизованный
встречно
поверхности
характеристик
позволяет
расчет
уровень
коэффициент
лепестков
лития
расстояние
характеристики
дифракции
конструкции
материала
обработки
отражения
параметров
проектирования
сигнала
структур
устройств
πn
волны
основные
пропускания
年:
2012
言語:
russian
ファイル:
PDF, 1.43 MB
0 / 0
russian, 2012
49
Основы микро- и наноэлектроники. Конструкция и технология микросхем

Основы микро- и наноэлектроники. Конструкция и технология микросхем

Кувшинов, А. М.
рис
имс
поверхности
подложки
пленки
примеси
области
элементов
пленок
конструкция
моп
изготовления
используются
слой
счет
технологии
транзисторов
sio2
концентрация
технология
интегральных
свойства
диэлектрика
ионов
корпуса
кристалла
выводов
используется
конструкции
транзистора
конденсаторов
легирование
полупроводника
полупроводниковых
транзисторах
фотолитография
качестве
примесей
резисторов
слоев
слоя
структуры
электронов
диффузии
контактных
пластины
пособие
т.е
учебное
легирования
言語:
russian
ファイル:
PDF, 1.45 MB
0 / 0
russian
50
Акустоэлектронные‭ ‬приборы‭ ‬и‭ ‬устройства

Акустоэлектронные‭ ‬приборы‭ ‬и‭ ‬устройства

Серебренников Л. Я.
пав
рис
сигналов
сигнала
устройства
вшп
сигнал
устройств
изготовления
преобразователей
преобразователя
волны
конвольвера
поверхности
частоты
подложки
волн
входных
выходного
распространения
фотошаблонов
звукопровода
электродов
задержки
преобразователь
конвольвер
обработки
помощью
выходной
частот
высокой
мгц
мкм
сигналы
наиболее
устройство
фильтра
ω1
мощности
позволяет
преобразования
схема
материала
определяется
представляет
преобразователи
характеристики
частоте
электрода
акустические
言語:
russian
ファイル:
PDF, 629 KB
0 / 0
russian